SOIC P-CH 30V 3.6A
P-Channel 30V 3.6A Ta 2W Ta Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
极性 P-CH
耗散功率 2W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.6A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 440pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF7326D2TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF7326D2PBF 英飞凌 | 完全替代 | IRF7326D2TRPBF和IRF7326D2PBF的区别 |
IRF7326D2TR 英飞凌 | 完全替代 | IRF7326D2TRPBF和IRF7326D2TR的区别 |