IGW30N100TFKSA1

IGW30N100TFKSA1图片1
IGW30N100TFKSA1图片2
IGW30N100TFKSA1图片3
IGW30N100TFKSA1图片4
IGW30N100TFKSA1图片5
IGW30N100TFKSA1图片6
IGW30N100TFKSA1概述

IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech

IGBT 沟槽型场截止 1000 V 60 A 412 W 通孔 PG-TO247-3


得捷:
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3


贸泽:
IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin3+Tab TO-247


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3


IGW30N100TFKSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 412 W

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 412 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 412000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Other hard switching applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IGW30N100TFKSA1
型号: IGW30N100TFKSA1
描述:IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台