Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 370000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R
IGBT NPT 600V 78A 370W Surface Mount D2PAK
得捷:
IGBT 600V 78A 370W D2PAK
贸泽:
IGBT Transistors 600V 30AD2PAK
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 370000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
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Chip1Stop:
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Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 370000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
额定功率 370 W
耗散功率 370 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 370 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 370000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRGS30B60KTRRP Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRGS30B60KPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRGS30B60KTRRP和IRGS30B60KPBF的区别 |