Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI70N10S312AKSA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
OptiMOS™T 功率 MOSFET
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
得捷:
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI70N10S312AKSA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin TO-262 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin TO-262 Tube
极性 N-CH
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 3350pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.36 mm
宽度 4.52 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 48V DC/DC, 48V inverter, HID lighting
RoHS标准
含铅标准 无铅