Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
得捷:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU50R1K4CEBKMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 IPAK TO-251封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; IPAK
额定功率 25 W
极性 N-CH
耗散功率 42 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 3.1A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 178pF @100VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.41 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free