的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 45A（Tc） 65W（Tc） PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 45A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
额定电压DC 55.0 V
额定电流 45.0 A
极性 N-CH
耗散功率 65W Tc
输入电容 2.98 nF
栅电荷 57.0 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 45.0 A
上升时间 61 ns
输入电容Ciss 2980pF @25VVds
额定功率Max 65 W
下降时间 68 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 65W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB45N06S3-16 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BUK9E15-60E,127 恩智浦 | 功能相似 | IPB45N06S3-16和BUK9E15-60E,127的区别 |
IPD144N06NG 英飞凌 | 功能相似 | IPB45N06S3-16和IPD144N06NG的区别 |