IRGS15B60KDTRRP

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IRGS15B60KDTRRP概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 208000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

IGBT NPT 600V 31A 208W Surface Mount D2PAK


得捷:
IGBT 600V 31A 208W D2PAK


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 208000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IRGS15B60KDTRRP中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 208000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 92 ns

额定功率Max 208 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRGS15B60KDTRRP
型号: IRGS15B60KDTRRP
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 208000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号IRGS15B60KDTRRP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IRGS15B60KDPBF

英飞凌

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