Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.3A 35000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R
IGBT NPT 600 V 6.3 A 35 W 表面贴装型 D-Pak
得捷:
IGBT NPT 600V 6.3A DPAK
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.3A 35000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.3A 3-Pin DPAK T/R
额定功率 35 W
耗散功率 35000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 68 ns
额定功率Max 35 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 35000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting HID, Refridgeration, Dishwasher
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRGR2B60KDTRRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRGR2B60KDPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRGR2B60KDTRRPBF和IRGR2B60KDPBF的区别 |