IGP30N60H3XKSA1

INFINEON  IGP30N60H3XKSA1  单晶体管, IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

得捷:
IGBT 600V 60A 187W TO220-3

欧时:
Infineon IGP30N60H3XKSA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 60 A, 1MHz, 3引脚 TO-220AB封装

贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

e络盟:
单晶体管, IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-220AB Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Newark:
# INFINEON  IGP30N60H3XKSA1  IGBT Single Transistor, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 Pins

Win Source:
IGBT 600V 60A 187W TO220-3 / IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO220-3-1