Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 77000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R
IGBT 600V 16A 77W Surface Mount D-PAK TO-252AA
得捷:
IGBT 600V 16A 77W DPAK
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 77000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin DPAK T/R
耗散功率 77000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 74 ns
额定功率Max 77 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 77000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting HID, Refridgeration
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRGR4610DTRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRGR4610DTRLPBF 英飞凌 | 完全替代 | IRGR4610DTRPBF和IRGR4610DTRLPBF的区别 |
IRGR4610DPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRGR4610DTRPBF和IRGR4610DPBF的区别 |