Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S4L23ATMA1, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
OptiMOS™ T2 功率 MOSFET
Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
AEC 合格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
极性 N-CH
耗散功率 36 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 30A
输入电容Ciss 1560pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 36W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD30N06S4L23ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD30N06S4L23ATMA2 英飞凌 | 完全替代 | IPD30N06S4L23ATMA1和IPD30N06S4L23ATMA2的区别 |