N沟道 55V 50A
* N-channel Logic Level - Enhancement mode * Automotive AEC Q101 qualified * MSL1 up to 260°C peak reflow * 175°C operating temperature * Green package lead free * Ultra low Rdson * 100% Avalanche tested
得捷:
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
欧时:
Infineon MOSFET IPD50N06S2L13ATMA2
立创商城:
N沟道 55V 50A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin TO-252 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31 / N-Channel 55 V 50A Tc 136W Tc Surface Mount PG-TO252-3-11
极性 N-CH
耗散功率 136W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, Valves control, Single-ended motors, Solenoids control
RoHS标准
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD50N06S2L13ATMA1 英飞凌 | 完全替代 | IPD50N06S2L13ATMA2和IPD50N06S2L13ATMA1的区别 |