单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
立创商城:
IPP030N10N3GXKSA1
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP030N10N3GXKSA1, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
额定功率 300 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 14800pF @50VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Audio, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Industrial, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Uninterruptable power supplies UPS, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPP030N10N3GXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP039N10N5AKSA1 英飞凌 | 类似代替 | IPP030N10N3GXKSA1和IPP039N10N5AKSA1的区别 |
IPP04CN10N G 英飞凌 | 类似代替 | IPP030N10N3GXKSA1和IPP04CN10N G的区别 |