Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU80R2K8CEBKMA1, 1.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-251封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.1A; 42W; IPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
额定功率 42 W
极性 N-CH
耗散功率 42 W
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 1.9A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 290pF @100VVds
额定功率Max 42 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.41 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPU80R2K8CEBKMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPU80R2K8CEAKMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPU80R2K8CEBKMA1和IPU80R2K8CEAKMA1的区别 |