IPU60R1K5CEAKMA1

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IPU60R1K5CEAKMA1概述

N-CH 600V 5A

N-Channel 600V 3.1A Tc Through Hole PG-TO251-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A Tube


安富利:
600VCoolMOSªCEPowerTransistor


IPU60R1K5CEAKMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 200pF @100VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 49000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPU60R1K5CEAKMA1
型号: IPU60R1K5CEAKMA1
描述:N-CH 600V 5A
替代型号IPU60R1K5CEAKMA1
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