INFINEON IPD068P03L3GATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V
The IPD068P03L3 G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
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- Enhancement-mode
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- 100% Avalanche rated
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- Small signal packages approved to AEC-Q101
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- Qualified to JEDEC for target applications
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- Halogen-free, Green device
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.005 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 100 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 7720pF @15VVds
下降时间 31 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, 电源管理, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, 电机驱动与控制, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, Automotive, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, 便携式器材, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD068P03L3GATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD068P03L3GBTMA1 英飞凌 | 完全替代 | IPD068P03L3GATMA1和IPD068P03L3GBTMA1的区别 |
IPD042P03L3GATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD068P03L3GATMA1和IPD042P03L3GATMA1的区别 |
IPD082N10N3GBTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD068P03L3GATMA1和IPD082N10N3GBTMA1的区别 |