DPAK N-CH 150V 21A
表面贴装型 N 通道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
欧时:
Infineon MOSFET IPD530N15N3GATMA1
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
通道数 1
漏源极电阻 0.044 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 68 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 887pF @75VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Communications & Networking, , Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD530N15N3GATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD2572 飞兆/仙童 | 功能相似 | IPD530N15N3GATMA1和FDD2572的区别 |
FDD86252 飞兆/仙童 | 功能相似 | IPD530N15N3GATMA1和FDD86252的区别 |