Infineon OptiMOS 3 系列 N沟道 MOSFET IPB530N15N3GATMA1, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
得捷:
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
立创商城:
N沟道 150V 21A
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB530N15N3GATMA1, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.044 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
额定功率 68 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.044 Ω
极性 N-CH
耗散功率 68 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 667pF @75VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-2
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems
RoHS标准
含铅标准 Lead Free