INFINEON IPU60R2K0C6BKMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPU60R2K0C6BKMA1, 2.4 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK TO-251封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 2.4A IPAK-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 2.4 A, 1.8 ohm, TO-251, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 22.3W; PG-TO251
额定功率 22.3 W
针脚数 3
漏源极电阻 1.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 22.3 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 2.4A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 140pF @100VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 22.3W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.41 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPU60R2K0C6BKMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPU60R2K0C6AKMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPU60R2K0C6BKMA1和IPU60R2K0C6AKMA1的区别 |