IPU60R2K0C6BKMA1

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IPU60R2K0C6BKMA1概述

INFINEON  IPU60R2K0C6BKMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPU60R2K0C6BKMA1, 2.4 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK TO-251封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 2.4A IPAK-3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 2.4 A, 1.8 ohm, TO-251, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 22.3W; PG-TO251


IPU60R2K0C6BKMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 22.3 W

针脚数 3

漏源极电阻 1.8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 22.3 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2.4A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 140pF @100VVds

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 22.3W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.41 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: IPU60R2K0C6BKMA1
描述:INFINEON  IPU60R2K0C6BKMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V
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