N沟道 30V 27A
Benefits:
漏源极电阻 0.0019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 27A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 4404pF @15VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
封装 Direct-FET
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Battery Protection, Load Switch High Side, Isolated Primary Side MOSFETs, Load Switch Low Side
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRF8308MTRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF6725MTRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF8308MTRPBF和IRF6725MTRPBF的区别 |
IRF8308MTR1PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF8308MTRPBF和IRF8308MTR1PBF的区别 |