INFINEON IPB180P04P4L02ATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB180P04P4L02ATMA1, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装
立创商城:
P沟道 40V 180A
艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this IPB180P04P4L02ATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 150000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes optimos technology. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin6+Tab TO-263
Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V
通道数 1
针脚数 7
漏源极电阻 0.0018 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 18700pF @25VVds
下降时间 119 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, Automotive, High-Side MOSFETs fo, Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17