30V,7mΩ,-14A,双P沟道功率MOSFET
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 14A 2.1W 表面贴装型 DIRECTFET™ MC
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2个P沟道 30V 14A
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MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
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Trans MOSFET P-CH Si 30V 14A 10-Pin Direct-FET MC T/R
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-30V,7mΩ,-14A,双P沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
通道数 2
极性 P-CH
耗散功率 2.1 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 14A
上升时间 142 ns
输入电容Ciss 3241pF @15VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 121 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 10
封装 Direct-FET
宽度 5.05 mm
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Battery Protection
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRF9395MTRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF9395MTR1PBF 英飞凌 | 完全替代 | IRF9395MTRPBF和IRF9395MTR1PBF的区别 |