INFINEON IRLU7843PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V
N 通道功率 MOSFET,30V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
立创商城:
N沟道 30V 161A
欧时:
### N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 161 A, 0.0033 ohm, TO-251AA, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin3+Tab IPAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin3+Tab IPAK
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; IPAK
Newark:
# INFINEON IRLU7843PBF MOSFET Transistor, N Channel, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 161A I-PAK
额定功率 140 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
阈值电压 2.3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 161A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 4380pF @15VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.39 mm
高度 7.49 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络, Power Management, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17