IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
Benefits:
耗散功率 250000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 89 ns
额定功率Max 250 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册