IXTP1R6N50D2概述
TO-220AB N-CH 500V 1.6A
N-Channel 500V 1.6A Tc 100W Tc Through Hole TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
贸泽:
MOSFET N-CH MOSFETS D2 500V 1.6A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB / N-Channel 500 V 1.6A Tc 100W Tc Through Hole TO-220-3
IXTP1R6N50D2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 2.3 Ω
极性 N-CH
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 1.6A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 645pF @25VVds
下降时间 41 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXTP1R6N50D2