IRGSL10B60KDPBF

INFINEON  IRGSL10B60KDPBF  晶体管, IGBT, 1.8V, 22A, TO-262-3

Co-Pack IGBT 超过 21A，

Infineon 的隔离栅极双极 IGBT 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。

IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置

得捷:
IGBT NPT 600V 22A TO262

欧时:
### Co-Pack IGBT 超过 21A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 IGBT 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。

贸泽:
IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz

e络盟:
INFINEON  IRGSL10B60KDPBF.  晶体管, IGBT, 1.8V, 22A, TO-262-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 156000mW 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 3-Pin3+Tab TO-262

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 22A; 104W; TO262

Newark:
# INFINEON  IRGSL10B60KDPBF  IGBT Single Transistor, 22 A, 1.8 V, 156 W, 600 V, TO-262, 3 Pins