IXFN180N25T概述
IXFN 系列 N 沟道 250 V 12.9 mOhm 功率 MOSFET 表面贴装 -SOT-227
底座安装 N 通道 250 V 168A（Tc） 900W（Tc） SOT-227B
得捷:
MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
立创商城:
N沟道 250V 168A
贸泽:
MOSFET 155A 250V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 164A Automotive 4-Pin SOT-227B
Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 164A Automotive 4-Pin SOT-227B
IXFN180N25T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 12.9 mΩ
耗散功率 900 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 28000pF @25VVds
额定功率Max 900 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 12.22 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXFN180N25T
型号： IXFN180N25T
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：IXFN 系列 N 沟道 250 V 12.9 mOhm 功率 MOSFET 表面贴装 -SOT-227