INFINEON IRGS4715DPBF 单晶体管, IGBT, N通道, 21 A, 1.7 V, 100 W, 650 V, TO-263AB, 3 引脚 新
单 IGBT 高达 20A,
优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能
得捷:
IGBT 650V D2-PAK
欧时:
Infineon IRGS4715DPBF N沟道 IGBT, 21 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
e络盟:
INFINEON IRGS4715DPBF 单晶体管, IGBT, N通道, 21 A, 1.7 V, 100 W, 650 V, TO-263AB, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 21A 100000mW 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 21A 3-Pin D2PAK Tube
TME:
Transistor: IGBT; 650V; 21A; 100W; D2PAK
Newark:
# INFINEON IRGS4715DPBF IGBT, SINGLE, 650V, 21A, TO-263AB-3
额定功率 100 W
针脚数 3
耗散功率 100 W
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 86 ns
额定功率Max 100 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRGS4715DPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRGS4715DTRRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRGS4715DPBF和IRGS4715DTRRPBF的区别 |