IXTP120N04T2

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IXTP120N04T2概述

TO-220 N-CH 40V 120A

通孔 N 通道 120A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB


贸泽:
MOSFET 120 Amps 40V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin3+Tab TO-220


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220


IXTP120N04T2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 6.1 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 200 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 3240pF @25VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 16 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP120N04T2
型号: IXTP120N04T2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-220 N-CH 40V 120A

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