TO-251 N-CH 600V 4.3A
N-Channel 600V 4.3A Tc 37W Tc Through Hole TO-251
得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 4.3A IPAK-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
通道数 1
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-CH
耗散功率 37 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 4.3A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 280pF @100VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 37W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPU60R1K0CEBKMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPU60R1K0CEAKMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPU60R1K0CEBKMA1和IPU60R1K0CEAKMA1的区别 |