IXFP4N60P3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFP4N60P3概述

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列

一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™

### MOSFET ，IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB

欧时:
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFP4N60P3, 4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB

IXFP4N60P3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 114W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 365pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 114W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 16 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFP4N60P3

型号： IXFP4N60P3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

替代型号IXFP4N60P3