IRGS4640DTRRPBF

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IRGS4640DTRRPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 65A 250000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

Benefits:

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Low VCEON and switching losses for High efficiency in a wide range of applications and switching
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Square RBSOA and maximum junction temperature 175°C Improved reliability due to rugged hard switching performance and high power capability
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Positive VCE ON temperature coefficient provides Excellent current sharing in parallel operation
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5µs Short Circuit SOA Enables short circuit protection scheme
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Environmentally friendly: Lead-Free and RoHS Compliant
IRGS4640DTRRPBF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 89 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRGS4640DTRRPBF
型号: IRGS4640DTRRPBF
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 65A 250000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号IRGS4640DTRRPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRGS4640DTRRPBF

Infineon 英飞凌

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