IXTR170P10P

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IXTR170P10P概述

ISOPLUS P-CH 100V 108A

P-Channel 100V 108A Tc 312W Tc Through Hole ISOPLUS247™


得捷:
MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 108A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 100V 108A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXTR170P10P中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 312 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 108A

上升时间 75 ns

输入电容Ciss 12600pF @25VVds

额定功率Max 312 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 312W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTR170P10P
型号: IXTR170P10P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:ISOPLUS P-CH 100V 108A

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