IPU50R3K0CEBKMA1

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IPU50R3K0CEBKMA1概述

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


得捷:
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3


欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU50R3K0CEBKMA1, 1.7 A, Vds=550 V, 3引脚 IPAK TO-251封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 1.7A IPAK-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, 13 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-251 Tube


Chip1Stop:
500V COOLMOS CE POWER TRANSISTOR


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.7A; 18W; IPAK


IPU50R3K0CEBKMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 18 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 2.7 Ω

极性 N-CH

耗散功率 26 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 1.7A

上升时间 5.8 ns

输入电容Ciss 84pF @100VVds

下降时间 49 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 18W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.41 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IPU50R3K0CEBKMA1
描述:Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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