Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
得捷:
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU50R3K0CEBKMA1, 1.7 A, Vds=550 V, 3引脚 IPAK TO-251封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 1.7A IPAK-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, 13 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-251 Tube
Chip1Stop:
500V COOLMOS CE POWER TRANSISTOR
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.7A; 18W; IPAK
额定功率 18 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.7 Ω
极性 N-CH
耗散功率 26 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 1.7A
上升时间 5.8 ns
输入电容Ciss 84pF @100VVds
下降时间 49 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 18W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.41 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free