IXFA3N120TRL参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXFA3N120TRL图片1

IXFA3N120TRL中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1050pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFA3N120TRL

型号： IXFA3N120TRL

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Mosfet n-Ch 1200V 3A To-263

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