IXTX170P10P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTX170P10P概述

P沟道 100V 170A

P-Channel 100V 170A Tc 890W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247-3

立创商城:
P沟道 100V 170A

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXTX170P10P中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 890W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 170A

上升时间 75 ns

输入电容Ciss 12600pF @25VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 890W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTX170P10P

型号： IXTX170P10P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：P沟道 100V 170A

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替代型号IXTX170P10P

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IXTX170P10P IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
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