IXTA75N10P

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IXTA75N10P概述

MOSFET N-CH 100V 75A TO-263

N-Channel 100V 75A Tc 360W Tc Surface Mount TO-263 IXTA


得捷:
MOSFET N-CH 100V 75A TO263


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin2+Tab D2PAK


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin2+Tab D2PAK


IXTA75N10P中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 360 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 53 ns

输入电容Ciss 2250pF @25VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA75N10P
型号: IXTA75N10P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO-263
替代型号IXTA75N10P
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IXYS Semiconductor

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