IXFB30N120P概述
N-Channel 1200V 30A 350mΩ Through Hole PolarP HiPerFET Power Mosfet- PLUS-264
N-Channel 1200V 30A Tc 1250W Tc Through Hole PLUS264™
得捷:
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
立创商城:
IXFB30N120P
贸泽:
MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab PLUS 264
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 30A; 1250W; PLUS264; 300ns
Win Source:
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
IXFB30N120P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.25 kW
阈值电压 6.5 V
漏源极电压Vds 1200 V
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 22500pF @25VVds
额定功率Max 1250 W
下降时间 56 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
高度 26.59 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXFB30N120P
型号： IXFB30N120P
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：N-Channel 1200V 30A 350mΩ Through Hole PolarP HiPerFET Power Mosfet- PLUS-264