IXTX17N120L参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTX17N120L概述

PLUS N-CH 1200V 17A

N-Channel 1200V 17A Tc 700W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXTX17N120L中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 700W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 17A

上升时间 39 ns

输入电容Ciss 8300pF @25VVds

下降时间 63 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTX17N120L

型号： IXTX17N120L

制造商： IXYS Semiconductor

描述：PLUS N-CH 1200V 17A

替代型号IXTX17N120L