IXFP180N10T2

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IXFP180N10T2概述

N沟道 100V 180A

N-Channel 100V 180A Tc 480W Tc Through Hole TO-220AB


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N沟道 100V 180A


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MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB


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MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 180A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB / N-Channel 100 V 180A Tc 480W Tc Through Hole TO-220-3


IXFP180N10T2中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 6 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 480W Tc

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 10500pF @25VVds

额定功率Max 480 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 480W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFP180N10T2
型号: IXFP180N10T2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 100V 180A
替代型号IXFP180N10T2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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