IXFX64N60P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFX64N60P概述

N 沟道 600 V 1040 W 200 nC PolarHV HiPerFET Mosfet 通孔 - PLUS-247

N-Channel 600V 64A Tc 1040W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXFX64N60P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 64.0 A

漏源极电阻 96.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1040W Tc

输入电容 1.15 nF

栅电荷 200 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 64.0 A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 12000pF @25VVds

额定功率Max 1040 W

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1040W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX64N60P

型号： IXFX64N60P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N 沟道 600 V 1040 W 200 nC PolarHV HiPerFET Mosfet 通孔 - PLUS-247

替代型号IXFX64N60P