IXTY2N80P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTY2N80P概述

DPAK N-CH 800V 2A

N-Channel 800V 2A Tc 70W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak

得捷:
MOSFET N-CH 800V 2A TO252

贸泽:
MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin2+Tab DPAK

富昌:
N-Channel 800 V 2 A 6 Ω Surface Mount PolarHV Power Mosfet - TO-252

IXTY2N80P中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 6 Ω

极性 N-CH

耗散功率 70 W

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 440pF @25VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTY2N80P

型号： IXTY2N80P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：DPAK N-CH 800V 2A

替代型号IXTY2N80P