IXFR10N100Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFR10N100Q概述

Trans MOSFET N-CH 1kV 9A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

N-Channel 1000V 9A Tc 250W Tc Through Hole ISOPLUS247™

得捷:
MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 9A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXFR10N100Q中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

耗散功率 250W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

输入电容Ciss 2900pF @25VVds

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.21 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFR10N100Q

型号： IXFR10N100Q

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 1kV 9A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

替代型号IXFR10N100Q