IXTT26N60P参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXTT26N60P图片1

IXTT26N60P图片2

IXTT26N60P概述

TO-268 N-CH 600V 26A

表面贴装型 N 通道 600 V 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268

得捷:
MOSFET N-CH 600V 26A TO268

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin2+Tab TO-268

IXTT26N60P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 26.0 A

极性 N-CH

耗散功率 460W Tc

输入电容 4.15 nF

栅电荷 72.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 26.0 A

输入电容Ciss 4150pF @25VVds

耗散功率Max 460W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTT26N60P

型号： IXTT26N60P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-268 N-CH 600V 26A

替代型号IXTT26N60P

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXTT26N60P IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXFT26N60P IXYS Semiconductor	类似代替	IXTT26N60P和IXFT26N60P的区别
IXFH28N60P3 IXYS Semiconductor	功能相似	IXTT26N60P和IXFH28N60P3的区别
IXFQ28N60P3 IXYS Semiconductor	功能相似	IXTT26N60P和IXFQ28N60P3的区别