TO-220AD N-CH 1000V
N-Channel 1000V 100mA Tc 1.1W Ta, 25W Tc Through Hole TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
贸泽:
MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin3+Tab TO-220AD
Win Source:
MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 4.00 A
通道数 1
漏源极电阻 80 Ω
极性 N-CH
耗散功率 25 W
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 100 mA
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 120pF @25VVds
额定功率Max 1.1 W
下降时间 64 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.1W Ta, 25W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTP01N100D IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTY01N100D IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTP01N100D和IXTY01N100D的区别 |
IXTU01N100D IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTP01N100D和IXTU01N100D的区别 |