IXFN106N20参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFN106N20概述

SOT-227B N-CH 200V 106A

N-Channel 200V 106A Tc 521W Tc Chassis Mount SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 106A 4-Pin SOT-227B

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 106A 4-Pin SOT-227B

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 106A; 520W; SOT227B

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 106A 4-Pin SOT-227B

IXFN106N20中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 106 A

额定功率 520 W

漏源极电阻 20.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 520 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 106 A

上升时间 80.0 ns

输入电容Ciss 9000pF @25VVds

额定功率Max 520 W

耗散功率Max 521W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN106N20

型号： IXFN106N20

制造商： IXYS Semiconductor

描述：SOT-227B N-CH 200V 106A

替代型号IXFN106N20