IXFN20N120P

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IXFN20N120P概述

Trans MOSFET N-CH 1.2kV 20A 4Pin SOT-227B

底座安装 N 通道 20A(Tc) 595W(Tc) SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 4-Pin SOT-227B


IXFN20N120P中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 595W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 11100pF @25VVds

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 595W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN20N120P
型号: IXFN20N120P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 1.2kV 20A 4Pin SOT-227B
替代型号IXFN20N120P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXFN20N120P

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

11058

Advanced Power Technology

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