IXFA14N60P3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFA14N60P3概述

TO-263AA N-CH 600V 14A

N-Channel 600V 14A Tc 327W Tc Surface Mount TO-263 IXFA

得捷:
MOSFET N-CH 600V 14A TO263

贸泽:
MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode

IXFA14N60P3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 540 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 327 W

阈值电压 3V ~ 5V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 14A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1480pF @25VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 327W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFA14N60P3

型号： IXFA14N60P3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-263AA N-CH 600V 14A

替代型号IXFA14N60P3