IXTB30N100L

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IXTB30N100L概述

PLUS N-CH 1000V 30A

N-Channel 1000V 30A Tc 800W Tc Through Hole PLUS264™


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 30A 3-Pin PLUS 264


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 30A 3-Pin PLUS 264


IXTB30N100L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 800 W

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 13200pF @25VVds

下降时间 78 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTB30N100L
型号: IXTB30N100L
制造商: IXYS Semiconductor
描述:PLUS N-CH 1000V 30A
替代型号IXTB30N100L
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