IXTR48P20P

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IXTR48P20P概述

ISOPLUS P-CH 200V 30A

P-Channel 200V 30A Tc 190W Tc Through Hole ISOPLUS247™


得捷:
MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 200V 30A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 200V 30A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXTR48P20P中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 190W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 46 ns

输入电容Ciss 5400pF @25VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTR48P20P
型号: IXTR48P20P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:ISOPLUS P-CH 200V 30A

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